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最新消息，行业人士透露，三星电子、SK海力士等存储半导体企业正在推动HBM产线的扩张。两家公司计划在明年年底前投资超过2万亿韩元，使HBM生产线目前的产能增加一倍以上。

据悉，SK海力士计划利用利川现有HBM生产基地后的清州工厂的闲置空间。三星电子正在考虑扩大位于忠清南道天安市的HBM核心生产线，该地区是设备解决方案部门下的先进封装团队的所在地。

市场研究公司TrendForce表示，以千兆字节（GB）为单位的HBM需求预计将激增60%，从2022年的1.81亿GB增加到2023年的2.9亿GB。与2023年相比，预计2024年将再增加30%。

据了解，最新的“HBM3”的总容量是最新DRAM产品GDDR6的12倍，带宽大约是13倍。

报道称，客户和HBM制造商通常会讨论产品开发一年以上，并生产定制产品。英伟达最近收到的来自SK海力士的HBM2E和HBM3也是1-2年前联合开发的产品。

HBM正在解冻存储器半导体市场。虽然三星和SK海力士尚未透露具体的HBM价格，但据悉最新第4代产品HBM3的价格约为最新传统DRAM的5-6倍。这就是今年HBM出货量仅占DRAM总出货量的1.7%，但其销售额比例却达到了11%的原因。

资料显示，自去年12月以来，ChatGPT生成式人工智能迅速发展，这增加了对能够处理大规模数据的高性能DRAM即高带宽内存（HBM）的需求，与传统DRAM相比，HBM数据容量和速度可提高十倍以上。